隨著先進半導體技術(shù)的發(fā)展對自對準和“自下而上"精準制造的需求愈發(fā)迫切,區(qū)域選擇性原子層沉積 (AS-ALD)技術(shù)憑借獨特優(yōu)勢，受到廣泛關(guān)注。

2025年6月25日,在濟州島的國際ALD/ALE會議上，Lam Research 的工程師Rachel.NyedeCastro 做了區(qū)域選擇性沉積（ASD）的報告。報告主要圍繞在金屬基體上選擇性沉積電解質(zhì)圖案，實現(xiàn)從試點生產(chǎn)（小的測試片）到規(guī)?；木A沉積。

Rachel Nye 的報告中顯示，Lam公司試點生產(chǎn)線的前期啟動實驗采用了Anric Technologies 的ALD設(shè)備。特別值得一提的是，截至目前，Lam 公司已采購8套同類設(shè)備用于試點生產(chǎn)線建設(shè)，從而被譽為AnricTechnologies 的“鐵桿粉絲客戶"。

以下是該報告的內(nèi)容介紹：

報告人：Rachel Nye

Rachel Nye，導師：Gregory Parsons，于2022年博士畢業(yè)于NC State University，后加入Lam Research 公司。她的研究主要集中在分子層沉積和區(qū)域選擇性沉積，現(xiàn)在西海岸地區(qū)從事區(qū)域選擇性沉積方面的工作。